探讨异质结概念，基于半导体物理基础，指的是两种不同材料或晶体结构的半导体，通过结合形成PN结。这类结合形式多样，如GaAs与Si、α-Si与晶体Si等。通常，这种结合可能包含缓冲层，其作用不容忽视，能够引发能带结构的改变，从而影响半导体的诸多特性。

异质结技术的历史悠久，自20世纪50年代起，苏联与美国的研究人员便开始探索这一领域。该技术应用广泛，特别是在光电探测、激光器件，以及近年来太阳能电池领域的创新中。其中，异质结太阳能电池被视为下一代最具潜力的技术之一，包括HJT（异质结太阳能电池）和IBC（背接触太阳能电池）。

对于半导体物理中的异质结，能带理论是核心内容。虽然近期在这一领域持续学习，但对于这一话题有兴趣的读者，欢迎共同探讨。中国科学院半导体研究所在此领域进行深入研究，欢迎交流与合作。