ASEMI代理英飞凌IPB072N15N3G是MOS管吗
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2024-12-12
IPB072N15N3G参数描述:型号:IPB072N15N3G持续漏极电流:100A脉冲漏极电流:400A雪崩能量,单脉冲:780 mJ栅极-源极电压:20V功率耗散:300W操作和储存温度:-55 to 175℃漏源击穿电压:150V栅极阈值电压:3V零栅极电压漏极电流:0.1µA栅极-源极泄漏电流:1nA漏极源导通
IPB072N15N3G参数描述:
型号:IPB072N15N3G
持续漏极电流:100A
脉冲漏极电流:400A
雪崩能量,单脉冲:780 mJ
栅极-源极电压:±20V
功率耗散:300W
操作和储存温度:-55 to 175℃
漏源击穿电压:150V
栅极阈值电压:3V
零栅极电压漏极电流:0.1µA
栅极-源极泄漏电流:1nA
漏极源导通状态电阻:6.2mΩ
栅极电阻:2.3Ω
输入电容:5470pF
输出电容:638pF
开通延迟时间:25ns
关断延迟时间:46ns
栅极平台电压:5.5V
二极管连续正向电流:100A
二极管脉冲电流:400A
二极管正向电压:1V
反向恢复时间:146ns
IPB072N15N3G特征:
N通道,正常电平
优秀的栅极电荷x R DS(on)产品(FOM)
接通电阻非常低R DS(接通)
175°C工作温度
无铅电镀;符合RoHS
根据JEDEC对目标应用进行鉴定
适用于高频开关和同步整流
无卤素,符合IEC61249-2-21
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