深能级杂质在Ge和Si中扮演着重要角色，它们通常来自非Ⅲ、Ⅴ族元素，具有多重性质。

对于Ⅰ族元素，Ge中Au、Cu、Ag作为替代式杂质，Au能形成3个受主型深能级，还附加一个施主型深能级，Li则为间隙式杂质，产生浅施主能级。在Si中，Au同样为替代式杂质，形成施主和受主深能级，Cu、Ag和Li也有各自的深能级特性。Au在半导体中的带电状态取决于半导体类型和掺杂浓度。

Ⅱ族元素在Ge中，Zn、Cd、Hg、Be作为替代式杂质，各有2个受主能级；在Si中，Zn、Cd、Mg、Be同样如此，Hg还能形成施主能级。

Ⅵ族元素如S、Se、Te在Ge中是替代式杂质，产生2个施主能级。在Si中，S有3个施主能级，Te有2个，Se和O的能级情况尚未明确。

过渡金属元素如Mn、Fe、Co、Ni在Ge中是替代式杂质，形成2个受主能级，Co还会额外形成施主能级。在Si中，Mn、Fe有施主能级，Co和Ni则有2个受主能级。

最后，Ⅲ族元素In和Tl在Si中作为替代式杂质，但它们形成的都是深受主能级，In的能级为0.16eV，Tl的为0.26eV，这些深能级杂质对半导体的电学性质有着显著影响。

扩展资料

此概念属于半导体物理学范畴。 深能级杂质：杂质电离能大，施主能级远离导带底，受主能级远离价带顶。 深能级杂质有三个基本特点：一是不容易电离，对载流子浓度影响不大。二是一般会产生多重能级，甚至既产生施主能级也产生受主能级。三是能起到复合中心作用，使少数载流子寿命降低。四是深能级杂质电离后以为带电中心，对载流子起散射作用，使载流子迁移率减小，导电性能下降。