外延和沉积在以下方面存在区别：

1. 生长原理：外延生长通常温度较高，例如气象外延，其反应室是热壁的，得到的是单晶。而沉积的生长温度一般较低，得到的多是多晶。

2. 生长参数：外延生长的主要参数包括衬底温度、激光能量、背景气压、激光频率等，其中等离子体运动的动力学以及腔体气氛之间的平衡对生长高质量的外延薄膜起着重要作用。而沉积的主要生长参数包括衬底温度、金属源flux、氧flux、O-plasma power energy等，其生长是热力学和动力学共同作用的结果。

3. 设备配置：外延和沉积都使用真空系统，但两者的背景真空度不同，外延的背景真空度可达到10-8mbar，而沉积可以达到10-10mbar。此外，外延的原位表征手段通常只有RHEED，而沉积有LR、QMS、RHEED、QCM等更为丰富的原位表征手段。

4. 衬底要求：外延一般只能在较小的衬底上生长薄膜，而沉积可以在较大的衬底上外延生长均匀的薄膜。

总结来说，外延和沉积在生长原理、生长参数、设备配置和衬底要求等方面存在显著差异。