IBIS模型，作为一种基于V/I曲线的I/O BUFFER建模技术，它精确且快速地描述了态侍芯片的驱动和接收电气特性。该模型已经成为一种国际标准，并提供了标准的文件格式以记录关键参数，如驱动源的输出阻抗、上升和下降时间以及输入负载等。这些特性使IBIS模型特别适用于进行高频效应如振荡和串扰的计算与仿真。