内存CL与性能的关系

在购买品牌内存时，包装或标贴上会标有“CL=2.5或CL=2.0”等标志，虽然同为DDR400，但不同CL值的内存价格会有所不同。CL英文全称为CAS Latency，代表CAS的延迟时间。带宽表示数据传输能力，在内存中，数据传输前需要等待响应，这种等待称为“Latency”。CAS Latency是指CPU读取某列内存地址数据的指令发出后，到实际开始读出数据所需的等待时间。

内存内部的存储单元按照行列排列成矩阵，地址被解码成行和列信号。读写数据时，内存控制芯片先传送列地址，随后RAS信号激活，但在存取行数据前还需几个周期，这就是RAS-to-CAS延迟时间。同样，CAS信号执行后也有延迟周期。

标准PC133 SDRAM的延迟大约2到3个周期；DDR RAM则为4到5个周期。DDR中，真正的CAS延迟时间是2到2.5个周期，RAS-to-CAS时间大约5到7个周期。总延迟时间=系统时钟周期×CL模式数+存取时间（tAC）。比如DDR333内存存取时间为6ns，CL设为2.5时，总延迟时间=6ns×2.5+6ns=21ns，CL设为2时，总延迟时间=6ns×2+6ns=18ns，减少了3个周期。

DDR266内存采用143MHz 7ns芯片时，CL=2时，总延迟时间=7ns×2+7ns=21ns。因此，CL值较低的DDR266内存性能可达到DDR333的水平，这也是超频玩家选择低CL值内存的原因。购买时，CL=2的内存价格稍高，但性能更优，建议优先选择。

目前，内存颗粒厂商已考虑降低CAS延迟时间提高性能，预计CL=1.5将是下一个发展目标。然而，CL值并非越低性能越好，因其他因素影响数据读取。

内存条上的SPD芯片包含CL相关信息。启动电脑时，BIOS会检查此项内容，并按内存标称CL模式运行。